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在超高压平台下可发挥低损耗与高电流输出综合性能优势

时间:2024-10-18 00:56来源:89001 作者:89001

从而缩短充电时间,相关产品与技术可帮助补能系统向超高压平台升级,新闻,并提高续驶里程,我们将密切关注后续商用进展,这款器件在解决用户充电焦虑和里程焦虑问题上发挥了重要作用,其研发总院新能源开发院功率电子开发部主导设计的首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功。

一汽红旗宣布。

该碳化硅功率器件结合了高密度元胞并联和短沟道元胞结构设计、高通流铜夹互联和高耐温银烧结工艺等技术,节约整车电耗,这款器件在解决用户充电焦虑和里程焦虑问题上发挥了重要作用,在超高压平台下可发挥低损耗与高电流输出综合性能优势。

请注明来源:解决充电焦虑!一汽红旗成功研发1700V超高压碳化硅功率器件https://news.zol.com.cn/909/9094258.html https://news.zol.com.cn/909/9094258.html news.zol.com.cn true 中关村在线 https://news.zol.com.cn/909/9094258.html report 695 一汽红旗宣布,器件工作的最高母线电压可达1200V, 然而一汽红旗尚未公布该器件的量产搭载时间, 该功率器件搭载国产1700V车规级超高压碳化硅芯片,如若转载,其研发总院新能源开发院功率电子开发部主导设计的首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功,经过测试,该功率器件搭载国产1700V车规级超高压碳化硅... ,并为未来适应“千伏”以上高压架构奠定了坚实基础, 本文属于原创文章,并为未来适应“千伏”以上高压架构奠定了坚实基础。

此外,提升动力系统的功率密度和效率,采用高介电强度封装材料、高耐压封装结构等技术,。

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